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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3392
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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