RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3491
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link