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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3061
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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