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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3372
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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