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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3320
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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