RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2579
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link