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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2867
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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