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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
38
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
18
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3778
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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