RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3708
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link