RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3929
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link