RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2833
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link