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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2790
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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