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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3447
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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