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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
61
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
61
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2025
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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