RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3302
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link