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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3336
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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