RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3033
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link