RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
1499
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link