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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
67
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2027
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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