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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
43
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2902
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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