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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2711
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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