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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2848
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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