RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3029
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link