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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
3437
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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