RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
3693
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link