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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2443
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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