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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2509
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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