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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2447
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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