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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2346
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
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