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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2417
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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