RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
56
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
56
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2200
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link