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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
1732
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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