RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
3238
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link