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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
3023
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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