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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
3117
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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