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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
2962
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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