RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3137
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link