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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
42
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2478
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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