RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3017
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link