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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2994
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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