RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2124
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link