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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3242
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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