RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2663
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link