SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Puntuación global

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.7 12.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.3 7.8

Valor medio en las pruebas

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Informar de un error

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR3
Latencia en PassMark, ns

42 42
Velocidad de lectura, GB/s

13.7 12.8
Velocidad de escritura, GB/s

8.3 7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 12800

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2152 2176

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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