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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2292
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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