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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 5.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 42
    En -24% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 9.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 5.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2152 left arrow 1839

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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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Memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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Memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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