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SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.8
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1863
2286
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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