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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
48
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2029
2354
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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