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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
1998
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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