RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
22.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
3792
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link